به گزارش خبرگزاری آنا؛ اقدام جدید سامسونگ شامل عقد قراردادی به ارزش تقریبی ۷۷۳ میلیون دلار با شرکت هلندی ASML، تنها تولیدکننده ماشین‌آلات پیشرفته لیتوگرافی با اشعه فرابنفش شدید در جهان، برای دریافت دو دستگاه از جدیدترین نسل این تجهیزات موسوم به High-NA EUV است. اولین دستگاه قرار است تا پایان سال جاری میلادی (اواخر پاییز ۱۴۰۴) در یکی از خطوط تولید سامسونگ نصب شود و دستگاه دوم نیز در اوایل سال ۲۰۲۶ به بهره‌برداری خواهد رسید. این سرمایه‌گذاری پاسخی مستقیم به نیاز روزافزون بازار برای تراشه‌های قدرتمندتر و بهینه‌تر است که در قلب فناوری‌هایی مانند هوش مصنوعی، رایانش ابری و دستگاه‌های هوشمند قرار دارند.
اهمیت فناوری High-NA EUV
ماشین‌آلات High-NA EUV یک جهش نسلی در فناوری تولید تراشه محسوب می‌شوند. این دستگاه‌ها با استفاده از سیستم‌های اپتیکی پیشرفته‌تر، قادرند الگو‌های مداری را با دقتی حدود ۱.۷ برابر بیشتر از نسل قبلی خود بر روی ویفر‌های سیلیکونی حک کنند. این دقت بالاتر به سازندگان اجازه می‌دهد تا ترانزیستور‌های کوچکتر و بیشتری را در یک فضای معین جای دهند که نتیجه آن تولید تراشه‌هایی با عملکرد بالاتر و مصرف انرژی کمتر است. دستیابی به فرآیند‌های تولید ۲ نانومتری و در آینده ۱.۴ نانومتری، بدون این تجهیزات که هر کدام نزدیک به ۳۸۰ میلیون دلار قیمت دارند، عملاً غیرممکن است. این دستگاه‌ها به قدری پیچیده و تولید آنها محدود است که شرکت ASML تا سال ۲۰۲۷ فقط قادر به تحویل حدود ۱۰ دستگاه از آنها به تمام مشتریان خود خواهد بود، که این موضوع اهمیت خرید سامسونگ را دوچندان می‌کند.
تراشه‌های ۲ نانومتری به چه معناست؟
برخلاف تصور اولیه، عدد «۲ نانومتر» در نام‌گذاری این فناوری دیگر به ابعاد فیزیکی یک جزء مشخص از ترانزیستور مانند طول گیت اشاره ندارد. این اصطلاح در صنعت نیمه‌هادی امروز بیشتر یک برچسب بازاریابی برای یک نسل فناوری جدید است که نشان‌دهنده یک جهش نسبت به فناوری‌های قبلی (مانند ۳ و ۵ نانومتری) است.
هر نسل جدید امکان افزایش چشمگیر تراکم ترانزیستور‌ها را فراهم می‌کند؛ به این معنی که می‌توان تعداد بسیار بیشتری ترانزیستور را در یک قطعه سیلیکون با اندازه ثابت جای داد. این افزایش تراکم مستقیماً به بهبود‌های قابل توجهی منجر می‌شود: یا افزایش ۴۵ درصدی عملکرد در ازای مصرف انرژی یکسان، یا کاهش ۷۵ درصدی مصرف انرژی برای دستیابی به همان سطح از عملکرد، که این ارقام بر اساس نمونه‌های اولیه معرفی‌شده توسط IBM اعلام شده است.
رقابت تنگاتنگ با شرکت تایوانی
در حال حاضر، بازار تولید قراردادی تراشه با سلطه کامل شرکت TSMC همراه است. بر اساس گزارش‌های مؤسسات تحلیل بازار مانند TrendForce، در سه‌ماهه اول سال ۲۰۲۵، TSMC نزدیک به ۶۷ درصد از سهم بازار جهانی را در اختیار داشته، در حالی که سهم سامسونگ به عنوان بازیگر دوم این عرصه، کمتر از ۸ درصد بوده است.
این شکاف عمیق، نتیجه برتری فنی و نرخ بازده بالاتر TSMC در فرآیند‌های تولید پیشرفته مانند ۳ نانومتری است که باعث شده شرکت‌های بزرگی نظیر اپل، انویدیا و کوالکام، مشتریان اصلی این شرکت تایوانی باشند.
سامسونگ در سال‌های اخیر با چالش‌هایی در زمینه نرخ بازده تراشه‌های پیشرفته خود مواجه بوده که این امر اعتماد برخی مشتریان را کاهش داده است. با این حال، TSMC قصد دارد از ماشین‌آلات High-NA EUV در فرآیند ۱.۴ نانومتری خود استفاده کند و برای گره ۲ نانومتری همچنان به نسل فعلی EUV تکیه خواهد کرد، یک استراتژی کاربردی که می‌تواند فرصتی برای سامسونگ جهت پیشی گرفتن در این فناوری باشد.
سودآوری TSMC از فناوری‌های پیشرفته
سلطه TSMC فقط به سهم بازار خلاصه نمی‌شود، بلکه به سودآوری بسیار بالا از محل فروش تراشه‌های پیشرفته نیز ترجمه می‌شود. بر اساس گزارش مالی این شرکت برای سه‌ماهه سوم سال ۲۰۲۵، فناوری‌های ۷ نانومتری و پیشرفته‌تر، مسئول ۷۴ درصد از کل درآمد این شرکت بوده‌اند. در این میان، فرآیند ۳ نانومتری به تنهایی ۲۳ درصد و فرآیند ۵ نانومتری ۳۷ درصد از درآمد را تشکیل داده‌اند.
این تمرکز بر فناوری‌های پیشرفته، حاشیه سود ناخالص این شرکت را به رقم چشمگیر ۵۹.۵ درصد رسانده است.
قیمت‌گذاری بالای این فناوری‌ها یکی از دلایل اصلی این سودآوری است؛ به طوری که هزینه هر ویفر ۳ نانومتری بین ۲۰ تا ۲۷ هزار دلار تخمین زده می‌شود و پیش‌بینی می‌شود قیمت هر ویفر ۲ نانومتری به حدود ۳۰ هزار دلار برسد. این ارقام نشان می‌دهد که رقابت در این حوزه، رقابت بر سر پرسودترین بخش صنعت فناوری است.
چشم‌انداز و استراتژی سامسونگ
هدف سامسونگ تبدیل شدن به شماره یک جهان در حوزه نیمه‌هادی‌های غیرحافظه شامل پردازنده‌ها تا سال ۲۰۳۰ است. جزئیات این طرح شامل سرمایه‌گذاری ۱۳۳ تریلیون وون کره جنوبی (حدود ۱۱۶ میلیارد دلار) تا سال ۲۰۳۰ برای تقویت رقابت‌پذیری در کسب‌وکار‌های System LSI و Foundry است.
این مبلغ به ۷۳ تریلیون وون برای تحقیق و توسعه داخلی و ۶۰ تریلیون وون برای زیرساخت‌های تولیدی تقسیم می‌شود. تأسیسات عظیمی مانند خط تولید جدید EUV در پردیس هواسونگ، که برای استقرار پیشرفته‌ترین ماشین‌آلات و تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری طراحی شده، نمونه‌ای بارز از همین سرمایه‌گذاری در زیرساخت‌های تولیدی است.
تصویری از پردیس هواسونگ سامسونگ در کره جنوبی / ساختمان‌هایی که در حال ساخت هستند، خط تولید جدید EUV (لیتوگرافی با اشعه فرابنفش فرین) این شرکت هستند که برای ساخت پیشرفته‌ترین نیمه‌هادی‌ها اختصاص یافته‌اند.
سامسونگ همچنین قصد دارد با ایجاد ۱۵٬۰۰۰ شغل جدید در این حوزه، توانایی فنی خود را برای دستیابی به رهبری بازار تراشه‌های منطقی، علاوه بر بازار حافظه، تقویت کند.
مدیران ارشد این شرکت، از جمله جی وای لی، رئیس هیئت مدیره، شخصاً بر پیشبرد پروژه ۲ نانومتری نظارت دارند. سامسونگ امیدوار است با بهره‌برداری سریع از این فناوری جدید و بهبود نرخ بازده، بتواند قرارداد‌های بزرگی را برای تولید نسل بعدی تراشه‌های هوش مصنوعی و پردازنده‌های موبایل از آن خود کند.
گزارش‌ها حاکی از آن است که این شرکت کره‌ای در حال مذاکره با مشتریان بزرگی همچون تسلا برای تولید تراشه‌های نسل بعدی خودرو‌های خودران است. موفقیت در این مسیر می‌تواند جایگاه سامسونگ را در بازار تقویت می‌کند و وابستگی جهانی به یک تولیدکننده را کاهش داده و زنجیره تأمین نیمه‌هادی‌ها را پایدارتر می‌سازد. با این حال، چالش اصلی سامسونگ فراتر از خرید تجهیزات و در اجرای بی‌نقص فرآیند تولید انبوه و جلب دوباره اعتماد کامل مشتریان کلیدی خواهد بود.
انتهای پیام/