به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، «مرکز صنعتیسازی نانوفناوری کاربردی (ICAN)» با همکاری مجموعه چالشهای نوآوری و فناوری «Innoten» و با هدف توسعه محصول با استفاده از دستگاه اسپارک پلاسما سینترینگ (SPS)، به دنبال حمایت از طرحها و ایدههای خلاقانه است.
روش اسپارک پلاسما سینترینگ یک روش تحت فشار است که براساس تخلیه الکتریکی پالسهای جریان در فاصله بین ذرات پودر و تولید اسپارک (جرقه) عمل میکند. زمانی که اسپارک ناشی از تخلیه الکتریکی در محل اتصال یا فاصله بین ذرات پودر ایجاد میشود، حرارت موضعی در ستون تخلیه، باعث افزایش آنی دما تا بیش از ۱۰۰۰ درجه سانتیگراد میشود.
این حرارت بالا سبب تبخیر ناخالصیها و همچنین تبخیر سطحی ذرات پودر در محدوده اسپارک میشود. بلافاصله پس از این ناحیه تبخیر، یک منطقه ذوب سطحی ایجاد میشود. این نواحی ذوب سطحی از طریق جریان الکترونها (در طی زمان وصل جریان) و ایجاد خلأ (در طی زمان قطع جریان) به سمت هم کشیده شده و ناحیه گلویی را تشکیل میدهند. این تکنولوژی کاربردهای زیادی در حوزههای مختلف مانند صنایع دفاع، خودروسازی، هوافضا، الکترونیک و اپتیک، بیومواد، انرژی دارد که نیاز به قطعات با چگالی بسیار بالا (نزدیک به چگالی تئوری) و یا قطعات بسیار مستحکم با تخلخل کنترل شده است.
از علاقهمندان دعوت میشود تا با ارسال طرحهای پیشنهادی خود از فرصت همکاری با مرکز صنعتیسازی نانوفناوری کاربردی و استفاده از زیرساختهای این مجموعه به منظور تجاری سازی محصول مورد نظر به همراه اعطای ۵۰ میلیون ریال جایزه نقدی به سه طرح برگزیده بهرهمند شوند.
حمایتهای آیکن شامل؛ فراهمآوردن فضای کار و تحقیقات، تامین تجهیزات و دستگاه موردنیاز اجرای طرح، از مقیاس آزمایشگاهی تا نیمهصنعتی، تامین مواد اولیه، تخصیص گرنت شبکه آزمایشگاهی به منظور انجام تستها و آنالیزهای ارزیابی عملکرد، همراهی با فرد توسعهدهنده تا مرحله تجاریسازی محصول، بهرهمندی از مشاورههای تخصصی راهاندازی کسب و کار و خدمات کریدور خدمات فناوری تا بازار میشود.
از صاحبان ایده و فعالان این حوزه دعوت میشود که طرحهای پیشنهادی خود را در آدرس innoten.ir ثبت کنند.
روش اسپارک پلاسما سینترینگ یک روش تحت فشار است که براساس تخلیه الکتریکی پالسهای جریان در فاصله بین ذرات پودر و تولید اسپارک (جرقه) عمل میکند. زمانی که اسپارک ناشی از تخلیه الکتریکی در محل اتصال یا فاصله بین ذرات پودر ایجاد میشود، حرارت موضعی در ستون تخلیه، باعث افزایش آنی دما تا بیش از ۱۰۰۰ درجه سانتیگراد میشود.
این حرارت بالا سبب تبخیر ناخالصیها و همچنین تبخیر سطحی ذرات پودر در محدوده اسپارک میشود. بلافاصله پس از این ناحیه تبخیر، یک منطقه ذوب سطحی ایجاد میشود. این نواحی ذوب سطحی از طریق جریان الکترونها (در طی زمان وصل جریان) و ایجاد خلأ (در طی زمان قطع جریان) به سمت هم کشیده شده و ناحیه گلویی را تشکیل میدهند. این تکنولوژی کاربردهای زیادی در حوزههای مختلف مانند صنایع دفاع، خودروسازی، هوافضا، الکترونیک و اپتیک، بیومواد، انرژی دارد که نیاز به قطعات با چگالی بسیار بالا (نزدیک به چگالی تئوری) و یا قطعات بسیار مستحکم با تخلخل کنترل شده است.
از علاقهمندان دعوت میشود تا با ارسال طرحهای پیشنهادی خود از فرصت همکاری با مرکز صنعتیسازی نانوفناوری کاربردی و استفاده از زیرساختهای این مجموعه به منظور تجاری سازی محصول مورد نظر به همراه اعطای ۵۰ میلیون ریال جایزه نقدی به سه طرح برگزیده بهرهمند شوند.
حمایتهای آیکن شامل؛ فراهمآوردن فضای کار و تحقیقات، تامین تجهیزات و دستگاه موردنیاز اجرای طرح، از مقیاس آزمایشگاهی تا نیمهصنعتی، تامین مواد اولیه، تخصیص گرنت شبکه آزمایشگاهی به منظور انجام تستها و آنالیزهای ارزیابی عملکرد، همراهی با فرد توسعهدهنده تا مرحله تجاریسازی محصول، بهرهمندی از مشاورههای تخصصی راهاندازی کسب و کار و خدمات کریدور خدمات فناوری تا بازار میشود.
از صاحبان ایده و فعالان این حوزه دعوت میشود که طرحهای پیشنهادی خود را در آدرس innoten.ir ثبت کنند.
نظر شما