شناسهٔ خبر: 75600641 - سرویس علمی-فناوری
نسخه قابل چاپ منبع: آنا | لینک خبر

با رونمایی از نسل جدید حافظه HBM۴

سامسونگ برای رقابت در بازار حافظه‌های هوش مصنوعی آماده می‌شود

سامسونگ در نمایشگاه SEDEX ۲۰۲۵ از نسل جدید حافظه HBM۴ خود با پهنای باند بالا رونمایی کرد تا جایگاه خود را در رقابت با شرکت‌هایی، چون SK Hynix و Micron تقویت کند. این شرکت با تکیه بر فناوری ساخت پیشرفته‌تر، هدف‌گذاری کرده تا قراردادهای تأمین حافظه شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی نسل آینده را جذب کند.

صاحب‌خبر -

به گزارش خبرگزاری آنا؛ این رونمایی در شرایطی انجام می‌شود که بازار شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی به یکی از مهم‌ترین و رقابتی‌ترین بخش‌های صنعت نیمه‌هادی تبدیل شده است. سامسونگ با بهره‌گیری از فرآیند تولید ۱c یعنی نسل ششم کلاس ۱۰ نانومتری، امیدوار است محصولی با عملکرد رقابتی ارائه دهد که بتواند نظر مشتریان بزرگی مانند انویدیا را برای استفاده در پلتفرم‌های نسل بعدی، از جمله Rubin، جلب کند. موفقیت در این رقابت، تأثیر قابل توجهی بر عملکرد مالی و موقعیت سامسونگ در بازار فناوری خواهد داشت و می‌تواند به جبران فرصت‌های از دست رفته در نسل HBM۳ کمک کند.

رونمایی هم‌زمان با رقبا در SEDEX ۲۰۲۵

نمایشگاه نیمه‌هادی کره جنوبی که از تاریخ ۳۰ مهر تا ۲ آبان ۱۴۰۴ در مرکز نمایشگاهی COEX سئول برگزار شد، امسال به محلی برای نمایش آخرین دستاورد‌های تولیدکنندگان حافظه جهان تبدیل شد. در این میان، غرفه سامسونگ با نمایش نمونه اولیه تراشه HBM۴ توجهات را به خود جلب کرد. این تراشه‌ها، که برای نسل آینده پردازنده‌های گرافیکی و شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی طراحی شده‌اند، با فراهم آوردن پهنای باند بسیار بالا، به رفع گلوگاه انتقال داده بین حافظه و پردازنده کمک کرده و برای پردازش الگوریتم‌های پیچیده هوش مصنوعی ضروری هستند.

نکته حائز اهمیت، حضور هم‌زمان رقبا در این عرصه بود. SK Hynix، که در حال حاضر سهم بالایی از بازار HBM۳ و HBM۳E را در اختیار دارد، نیز از نمونه اولیه HBM۴ خود رونمایی کرد. این موضوع، شدت رقابت برای کسب سهم از بازار نسل آینده را نشان می‌دهد. بر اساس گزارش‌ها، هر سه تولیدکننده اصلی این حوزه یعنی سامسونگ، SK Hynix و Micron، نمونه‌های HBM۴ خود را برای ارزیابی فنی به انویدیا، به عنوان یکی از بزرگ‌ترین مشتریان این بازار، ارسال کرده‌اند. انویدیا در ماه‌های آینده این نمونه‌ها را بررسی خواهد کرد تا تأمین‌کنندگان حافظه برای پلتفرم‌های بعدی خود را انتخاب کند.

مزیت بالقوه سامسونگ: فناوری ساخت ۱c

وجه تمایز اصلی در رونمایی سامسونگ، فناوری ساخت مورد استفاده است. این شرکت اعلام کرده که تراشه‌های HBM۴ را با فرآیند لیتوگرافی ۱c، که معادل نسل ششم فرآیند‌های کلاس ۱۰ نانومتری است، تولید خواهد کرد. این در حالی است که SK Hynix، طبق اطلاعات منتشر شده، برای تولید HBM۴ از فرآیند ۱b یعنی نسل پنجم کلاس ۱۰ نانومتری استفاده می‌کند.

از نظر فنی، فرآیند ۱c به دلیل ساختار ترانزیستور‌های کوچک‌تر، می‌تواند مزایای زیر را به همراه داشته باشد:

چگالی بالاتر: این فرآیند امکان جای دادن سلول‌های حافظه بیشتر در فضای معین را فراهم می‌کند که به افزایش ظرفیت کلی تراشه کمک می‌کند.

بهره‌وری انرژی: معمولاً فرآیند‌های پیشرفته‌تر، مصرف انرژی پایین‌تری به ازای هر عملیات دارند که این موضوع در مراکز داده یک مزیت مهم است.

عملکرد بالاتر: ابعاد کوچک‌تر می‌تواند به دستیابی به فرکانس‌های کاری بالاتر و در نتیجه، پهنای باند بیشتر منجر شود.

با این حال، کارشناسان صنعت معتقدند که برتری یک فرآیند تولید روی کاغذ، تضمینی برای برتری محصول نهایی در تولید انبوه نیست. چالش‌هایی مانند نرخ بازده تولید، پایداری عملکرد و مدیریت حرارت، همگی عواملی هستند که می‌توانند نتیجه نهایی را تحت تأثیر قرار دهند. در نهایت، نتایج آزمون‌های عملی مشتریان، تعیین‌کننده محصول برتر خواهد بود.

مروری بر عملکرد سامسونگ در نسل‌های گذشته HBM

برای درک بهتر موقعیت فعلی سامسونگ، بررسی عملکرد این شرکت در نسل‌های قبلی حافظه‌های HBM مفید است.

HBM۲ و HBM۲E

در سال‌های ابتدایی معرفی فناوری HBM، سامسونگ یکی از تولیدکنندگان اصلی بود. با معرفی محصولاتی مانند HBM۲E Flashbolt در سال ۲۰۱۹، این شرکت حافظه‌ای با پهنای باند و ظرفیت بالا عرضه کرد که در پردازنده‌های گرافیکی و سیستم‌های پردازش پیشرفته به کار گرفته شد و جایگاه مناسبی در بازار برای سامسونگ ایجاد کرد.

HBM۳

با معرفی نسل سوم، شرایط برای سامسونگ تغییر کرد. در حالی که SK Hynix با سرمایه‌گذاری به موقع توانست بخش عمده‌ای از قرارداد‌های تأمین حافظه برای پردازنده‌های پرفروش Nvidia H۱۰۰ را به دست آورد، سامسونگ برای ورود به تولید انبوه این نسل با چالش‌هایی رو‌به‌رو شد. این تأخیر باعث شد سامسونگ سهم قابل توجهی از این بازار را به رقیب خود واگذار کند.

HBM۳E

سامسونگ در واکنش به این موضوع، منابع خود را بر روی نسل بهبودیافته، یعنی HBM۳E، متمرکز کرد. محصول این شرکت با نام Shinebolt، که با ویژگی‌هایی مانند ۱۲ لایه پشته‌سازی و ظرفیت ۳۶ گیگابایت معرفی شد، با هدف رقابت با محصولات موجود در بازار توسعه یافت. هرچند سامسونگ توانست بخشی از سفارش‌های HBM۳E را برای پردازنده‌های نسل بعدی انویدیا کسب کند، اما SK Hynix همچنان به عنوان تأمین‌کننده اصلی در این بخش باقی ماند.

در این شرایط، HBM۴ برای سامسونگ فرصتی برای رقابت موثرتر در بازار و اثبات توانایی‌های فنی این شرکت در نسل جدید حافظه‌هاست.

استراتژی سامسونگ

تمرکز سامسونگ بر بازار حافظه‌های پیشرفته، در اظهارات رسمی مدیران آن نیز قابل مشاهده است. جائهجون کیم، معاون اجرایی و رئیس بخش حافظه در سامسونگ الکترونیکس، پیش‌تر گفته بود: «در حال حاضر بیش از نیمی از حجم تولید HBM ما را محصولات تخصصی تشکیل می‌دهند. سفارشی‌سازی بیشتر HBM۴ برای نیازهای هر مشتری از طریق یکپارچه‌سازی لایه‌های منطقی، فرصتی برای تثبیت رهبری ما در بازار فراهم می‌کند. با توجه به سرعت سرسام‌آور تکامل پردازش‌های هوش مصنوعی، نوآوری در حوزه حافظه نیز باید همگام با آن پیش برود.»

سامسونگ قصد دارد از HBM۴ نه به عنوان یک محصول استاندارد، بلکه به عنوان یک پلتفرم قابل سفارشی‌سازی استفاده کند. این شرکت با افزودن لایه‌های منطقی به پشته حافظه، می‌تواند بخشی از پردازش‌ها را به خود حافظه منتقل کند و محصولی منطبق با نیاز‌های خاص هر مشتری، مانند انویدیا یا AMD، تولید کند. این رویکرد می‌تواند مزیت رقابتی قابل توجهی برای سامسونگ در بازار بسیار سودآور هوش مصنوعی ایجاد کند.

این شرکت امیدوار است با تکیه بر فناوری‌های جدید، بتواند اعتماد مشتریان کلیدی را جلب کرده و درآمد خود را در بخش حافظه‌های پیشرفته افزایش دهد. نتیجه این رقابت فنی در ماه‌های آینده و پس از اعلام نتایج ارزیابی‌های فنی مشتریان مشخص خواهد شد.

جدول مقایسه فنی نسل‌های مختلف حافظه HBM سامسونگ

انتهای پیام/