به گزارش خبرگزاری آنا، این مقاله علمی با عنوان  «Dephasing Mechanisms of Topologically Protected 2D Surface Carriers in Sputtered SnTe Thin Films» به بررسی سازوکارهای تضعیف فاز در حامل‌های بار سطحی دوبعدی با حفاظت توپولوژیکی در فیلم‌های نازک تلورید قلع (SnTe) می‌پردازد.

براساس این گزارش، در بخشی از یافته‌های این تحقیق آمده است:

پدیده‌های انتقال کوانتومی را می‌توان در مواد عایق توپولوژیکی به‌وسیله روشی بسیار مقیاس‌پذیر، یعنی کندوپاش (Sputtering)، شناسایی کرد؛ رویکردی که می‌تواند افق‌های تازه‌ای را برای کاربردهای فناورانه این مواد بگشاید. در این مطالعه، لایه‌های دوبعدی تلورید قلع (SnTe) با استفاده از دستگاه کندوپاش فرکانس رادیویی (RF) در دمای اتاق و فشار ثابت سنتز شده‌اند. این ماده به عنوان یک عایق کریستالی توپولوژیکی دارای حامل‌های بار سطحی دوبعدی با حفاظت توپولوژیکی و همچنین حامل‌های بار حجمی سه‌بعدی است.

یکی از دستاوردهای این پژوهش، افزایش نسبت حامل‌های بار سطحی در لایه‌های نازک SnTe است که امکان مطالعه دقیق‌تر خواص الکترونیکی این ماده را فراهم کرده است.

براساس گزارش پایگاه JCR، مجله Nano Letters در میان ده نشریه برتر جهان در حوزه موضوعی فیزیک ماده چگال و نانوفناوری قرار دارد.
شایان ذکر است، شهرام سلیمانی، عضو هیأت علمی واحد علوم و تحقیقات، دارای H-index = 39 است.

برای دریافت لینک مقاله چاپ شده کلیک کنید.

انتهای پیام/