شناسهٔ خبر: 75332533 - سرویس علمی-فناوری
نسخه قابل چاپ منبع: آنا | لینک خبر

سامسونگ برای تصاحب بازار تراشه‌های پرچمدار خیز برداشت

شرکت کوالکام نمونه‌های آزمایشی از تراشه پرچمدار «اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵» را که بر پایه فرآیند ۲ نانومتری سامسونگ تولید شده، دریافت کرده است؛ این اقدام می‌تواند به استراتژی منبع‌یابی ۲ گانه منجر شده و سلطه شرکت TSMC بر بازار تولید نیمه‌هادی‌ها را به چالش بکشد.

صاحب‌خبر -

این در حالی است که تولید انبوه تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۵ پیش از این به صورت رسمی با فرآیند ۳ نانومتری در خطوط تولید شرکت تایوانی TSMC آغاز شده بود. گزارش‌های منتشر شده در رسانه‌های کره جنوبی در تاریخ ۱۸ مهر ۱۴۰۴، تأیید می‌کنند که کوالکام اکنون در حال ارزیابی نمونه‌های ساخته شده توسط سامسونگ است تا عملکرد و پایداری فرآیند جدید ۲ نانومتری این شرکت را بسنجد. این اقدام، که پس از هفته‌ها گمانه‌زنی در صنعت نیمه‌هادی‌ها صورت می‌گیرد، نشان‌دهنده آغاز فصلی جدید از رقابت در عرصه تولید پیشرفته‌ترین پردازنده‌های موبایل است.

اقدام کوالکام برای سفارش نمونه‌های آزمایشی به سامسونگ، یک استراتژی تجاری شناخته‌شده تحت عنوان منبع‌یابی دوگانه است. این رویکرد به شرکت‌ها اجازه می‌دهد تا با توزیع سفارش‌های خود بین دو یا چند تولیدکننده، ریسک‌های مرتبط با تولید، مانند اختلال در زنجیره تأمین یا مشکلات فنی در یک کارخانه خاص، را به حداقل برسانند.

علاوه بر کاهش ریسک، این استراتژی اهرم فشار قابل توجهی در مذاکرات تجاری برای کوالکام فراهم می‌کند. با ایجاد رقابت مستقیم بین سامسونگ و TSMC، کوالکام قادر خواهد بود شرایط قرارداد و قیمت‌گذاری بهتری را برای تولید انبوه تراشه‌های خود به دست آورد. اطلاعات غیررسمی حاکی از آن است که سامسونگ به منظور جذب مشتریان بزرگ، قیمت‌گذاری رقابتی را برای فرآیند ۲ نانومتری خود در نظر گرفته است.

تفاوت اصلی میان دو نسخه از این تراشه، در معماری و فناوری ساخت آنها نهفته است. نسخه‌ای که توسط TSMC تولید می‌شود، بر پایه جدیدترین نسل از فناوری ۳ نانومتری این شرکت ساخته شده است. در مقابل، نمونه‌های ارسالی از سوی سامسونگ با بهره‌گیری از فرآیند ۲ نانومتری و معماری ترانزیستوری پیشرفته «گیت-تمام-اطراف» (GAA) تولید شده‌اند. فناوری GAA با بهبود کنترل گیت بر جریان الکتریکی درون ترانزیستور، امکان دستیابی به عملکرد بالاتر و مصرف انرژی پایین‌تر را فراهم می‌آورد.

انتظار می‌رود که نسل بعدی تراشه اختصاصی سامسونگ، یعنی اگزینوس ۲۶۰۰ که در بخشی از گوشی‌های سری گلکسی S۲۶ به کار گرفته خواهد شد نیز با همین فرآیند ۲ نانومتری تولید شود.

موفقیت سامسونگ در این مرحله آزمایشی، به یک عامل کلیدی بستگی دارد: دستیابی به بازده تولید پایدار و در مقیاس بالا. بازده تولید به درصدی از تراشه‌های سالم و بدون نقص در هر ویفر سیلیکونی اطلاق می‌شود و یکی از مهم‌ترین شاخص‌های کارایی یک خط تولید است. اگر سامسونگ بتواند در این آزمون سربلند بیرون آید و به کوالکام اطمینان دهد که قادر به تأمین سفارش‌های انبوه با کیفیتی یکنواخت است، علاوه بر اینکه یک قرارداد تجاری بزرگ را به دست خواهد آورد و موازنه قدرت در صنعت نیمه‌هادی‌ها را به شکل قابل توجهی تغییر خواهد داد. این اتفاق می‌تواند به سلطه چندین ساله TSMC در بازار تراشه‌های پرچمدار پایان داده و رقابت در عصر فناوری ۲ نانومتری را به طور جدی آغاز کند.

انتهای پیام/