شناسهٔ خبر: 31390185 - سرویس علمی-فناوری
نسخه قابل چاپ منبع: دانشجو | لینک خبر

ازسوی یک شرکت اسپانیایی؛

نانوحسگر‌ها طول عمر هدفون‌ها را افزایش می‌دهند/ تجربه‌ای هیجان‌انگیز با فناوری منحصربه‌فرد سال ۲۰۱۹

شرکت اسپانیایی نانوسنسز با استفاده از نانوحسگر در هدفون‌ها، موجب افزایش فضای آزاد درون آن‌ها شدند که تولیدکنندگان می‌توانند از باتری یا ابرخازن و حتی حافظه درون این فضای اضافی، استفاده کنند.

صاحب‌خبر -
به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، نانوسنسز (Nanusens) یکی از شرکت‌های پیشرو در حوزه حسگر، اعلام کرد که موفق به افزایش ۲۰ درصدی طول عمر هدفون‌ها شده‌است. برای این کار، این شرکت به جای استفاده از حسگر‌های MEMS از تراشه‌های چندحسگری منفرد استفاده کرده که ده برابر کوچکتر از حسگر‌های رایج مورد استفاده در این هدفون‌ها هستند؛ بنابراین فضای بیشتری برای استفاده از باتری در اختیار تولیدکننده قرار می‌گیرد.

در حسگر‌های MEMS از یک تراشه استفاده می‌شود که حاوی حسگر در مقیاس میکروسکوپی است. اما در این فناوری جدید، شرکت نانوسنسز از حسگری در مقیاس نانومتری استفاده کرده که در لایه‌های تراشه CMOS قرار می‌گیرد و می‌تواند الکترونیک را کنترل کند. در نتیجه، این تراشه NEMS تنها یک میلی‌متر مکعب حجم داشته و می‌تواند سه میلی‌متر مکعب فضای اضافی برای تولیدکننده به ارمغان بی‌آورد. تولیدکننده می‌تواند در این فضای اضافی از باتری یا ابرخازن استفاده کرد و عمر باتری را افزایش دهد.

ژوزف مونتانیا، مدیرعامل شرکت نانوسنسز می‌گوید: ما در موقعیت منحصر به فردی برای ایجاد فضای اضافی در هدفون‌ها قرار داریم به‌طوری که طراحان می‌توانند از این نانوحسگر برای ایجاد فضای مناسب بیشتر برای طراحی استفاده کنند. برخی تولیدکنندگان علاقه‌مند هستند تا در این فضای خالی از باتری یا ابرخازن استفاده کنند، اما دیگر تولیدکنندگان تمایل دارند تا از این فضا‌های خالی برای افزودن برخی ویژگی‌ها نظیر اضافه‌کردن حافظه استفاده کنند؛ بنابراین کاربر می‌تواند یک آهنگ خاص را درون هدفون ذخیره کند. این فناوری قابل انطباق بوده و می‌توان از آن برای ساخت حسگر‌های مختلف استفاده کرد. با این روش می‌توان حسگر‌های مختلف را روی یک تراشه ایجاد نمود. از دیگر مزیت‌های این فناوری می‌توان به مصرف کم انرژی اشاره کرد.

اولین تولید نانوسنسز در سه ماهه چهارم سال ۲۰۱۹ انجام خواهد شد. این فناوری که به‌صورت پتنتی نیز به ثبت رسیده قابل انطباق با فرآیند‌های تولید قطعات CMOS است.

نظر شما