به گزارش جام جم آنلاین به نقل از انگجت، شرکت آیبیام اعلام کرد با بهرهگیری از معماری نوآورانه Nanostack موفق به تولید نخستین تراشه عملیاتی با فناوری ۰.۷ نانومتری (هفت آنگسترومی) شده است؛ تراشهای که گامی مهم در توسعه نسل آینده پردازندهها به شمار میرود.
این شرکت پیشتر در سال ۲۰۲۱ با معرفی تراشه ۲ نانومتری مبتنی بر معماری Nanosheet توجه صنعت فناوری را جلب کرده بود و اکنون با فناوری جدید، مرزهای طراحی تراشههای سیلیکونی را یک گام دیگر جابهجا کرده است.
بر اساس اعلام آیبیام، معماری Nanostack امکان افزایش چشمگیر چگالی ترانزیستورها را فراهم کرده و میتواند نزدیک به ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور را در فضایی هماندازه یک ناخن انسان جای دهد. همچنین در نمونه آزمایشی، بیش از دو میلیارد ترانزیستور در تراشهای کوچک با موفقیت پیادهسازی شده است.
به گفته این شرکت، تراشههای مبتنی بر فناوری جدید قادر خواهند بود در مقایسه با نسل ۲ نانومتری، تا ۵۰ درصد عملکرد پردازشی بیشتر یا ۷۰ درصد بهرهوری انرژی بالاتر ارائه دهند؛ مزیتی که میتواند نقش مهمی در توسعه هوش مصنوعی، مراکز داده، ابررایانهها و تجهیزات الکترونیکی آینده داشته باشد.
جی گامبتا، مدیر بخش تحقیقات آیبیام، در این باره گفت: معماری Nanostack این امکان را فراهم میکند که توان محاسباتی سیستمها به شکل قابل توجهی افزایش یابد، بدون آنکه مصرف انرژی به همان نسبت رشد کند.
فناوری Nanostack بر پایه ترانزیستورهای نانوشیت توسعه یافته است. در این معماری، ترانزیستورها بهصورت عمودی و پلکانی روی یکدیگر قرار میگیرند. هر ترانزیستور از سه نانوشیت تشکیل شده که ضخامت هر کدام حدود پنج نانومتر است و تنها از ۱۵ ردیف اتم سیلیکون ساخته شدهاند.
با وجود این پیشرفت، آیبیام برآورد کرده است که تولید انبوه تراشههای مبتنی بر Nanostack دستکم پنج سال دیگر زمان خواهد برد. این در حالی است که شرکت ژاپنی Rapidus، شریک تجاری آیبیام در توسعه فناوری نانوشیت، اعلام کرده تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری را از نیمه دوم سال ۲۰۲۷ آغاز خواهد کرد.
∎