سامسونگ در بیانیه ای اعلام کرد که در مقایسه با تراشه های ۵ نانومتری معمولی، نسل اول فرآیند ۳ نانومتری تازه توسعه یافته می تواند مصرف انرژی را تا ۴۵ درصد کاهش دهد، عملکرد را تا ۲۳ درصد بهبود بخشیده و مساحت را تا ۱۶ درصد کاهش دهد.

این شرکت کره ای همچنین افزود: انتظار می رود برای نسل دوم، مصرف برق به نصف کاهش یابد و عملکرد آن تا ۳۰ درصد افزایش یابد.

 هرچند سامسونگ نامی از مشتریان برای آخرین فناوری ریخته گری خود که تراشه های سفارشی مانند پردازنده های موبایل و تراشه های محاسباتی با کارایی بالا را عرضه می کند، ذکر نکرده اما تحلیگران معتقدند که انتظار می رود خود سامسونگ و شرکت های چینی جزو مشتریان اولیه باشند.

این فناوری جدید، سلاحی مخفی برای سامسونگ، بزرگترین سازنده تراشه های حافظه در جهان، برای مقابله با TSMC تایوان، رهبر غالب در بازار پر سود ریخته گری است.

غول تایوانی تولید تراشه پیشگام صنعت نیمه هادی ((TSMC در حال حاضر پیشرفته‌ترین سازنده تراشه در جهان است و حدود ۵۴ درصد از بازار جهانی را به خود اختصاص داده است. تراشه‌های ساخته شده توسط این شرکت توسط کمپانی هایی مانند اپل و کوالکام استفاده می‌شود.

سامسونگ که با ۱۶.۳ درصد از سهم بازار  با اختلاف در رتبه دوم قرار دارد، سال گذشته برنامه سرمایه گذاری ۱۷۱ تریلیون وون (۱۳۲ میلیارد دلار)  خود را اعلام کرد که قصد دارد تا سال ۲۰۳۰ از TSMC به عنوان برترین سازنده تراشه های حافظه جهان پیشی بگیرد.

TSMC نیز قصد دارد تا اواخر امسال تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را آغاز کند، اما به استفاده از FinFET تا حد زیادی برای پایداری ادامه خواهد داد.

یک منبع صنعتی که خواست نامش فاش نشود، گفت: «سامسونگ با اتخاذ فرآیند ۳ نانومتری زودتر از رقبای خود در بحبوحه نگرانی‌ها در مورد نرخ بازده پایین در مرحله اولیه، ریسک می‌کند. ممکن است برای سامسونگ سخت باشد که فوراً سهام TSMC را بگیرد، اما می تواند حداقل در فرآیند ۳ نانومتری نوپا به دنبال دست برتر باشد.