به گزارش خبرنگار فناوری خبرگزاری دانشجو، یک گروه تحقیقاتی در موسسه تکنولوژی توکیو بینش بی سابقه‌ای در مورد عملکرد درونی جابجایی اتم (جابجایی‌های اتمی در واقع حرکت کردن یک اتم تنهاست که با درک و مهار پتانسیل این جابجایی اتمی میتوان در مدار‌های منطقی و دستگاه‌های حافظه مورد استفاده قرار بگیرند) بدست آوردند و با بررسی ترکیب نازک فلزی «پل» که در جابجایی‌ها شکل می‌گیرد ممکن است امکان طراحی جابجایی‌های اتمی با عملکرد پیشرفته به محققان را بدهد.

جابجایی‌های اتمی به عنوان کوچکترین جابجایی‌های الکتروشیمی که میتواند چهره فناوری اطلاعات را تغییر بدهند، نامیده می‌شوند. به علت ابعاد نانو و مصرف انرژی پایین، آن‌ها می‌توانند برای ادغام در مدار‌های نسل آینده در دستگاه‌های هوش مصنوعی (Artificial Intelligence) و اینترنت اشیاء (Internet of Things) مورد استفاده قرار بگیرند.

پل، درون لایه سولفیدفلزی بین دوالکترود شکل میگیرد و به وسیله یک واکنش الکتروشیمیایی با تغییر ولتاژ، کنترل می‌شود. وجود یاعدم وجود پل، روشن یا خاموش بودن جابجایی را تعیین می‌کند.

گروه تحقیقاتی یک راه مفید برای بررسی دقیق ساختمان پل یافته اند. آن‌ها با استفاده از تکنیک نقطه اتصال طیف سنجی (روشی که وجود و خواص یک اتم تنها را در دمای پایین اندازه گیری می‌کند) جابجایی اتمی را به اندازه کافی برای بررسی پل سرد کردند و نتایج بدست آمده مشخص کرد که ساختار پل متشکل از اتم‌های فلزالکترود و لایه سولفید فلزی است.

 

یکی از محققان اظهار داشت: «این نتایج شگفت انگیز نظریه رایج درباره ساختمان پل که فقط ناشی از فلز الکترود بوده را رد می‌کند.»

تیم تحقیقاتی با مقایسه جابجایی‌های اتمی با ترکیب الکترود‌ها (پلاتین و نقره یا پلاتین و مس) و لایه‌های سولفیدفلزی (سولفید مس و نقره سولفید) مختلف مشاهده کردند که ساختمان پل بصورت عمده از نقره تشکیل شده. محققان بیان کردند: «علت این پدیده تحرک بیشتر نقره نسبت به مس است و بهتر است برای پایداری بیشتر پل‌ها از فلز‌هایی با تحرک کمتر استفاده شود.»